Post-CMOS-Release-Verfahren mit querstrahlempfindlicher Struktur für MEMS-Vektorhydrophone
Sep 16, 2022
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CMOS-Freigabeverfahren nach querstrahlempfindlicher Struktur für MEMS-Vektorhydrophon
technischen Bereich
1. Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf das Gebiet der Halbleiter, insbesondere auf den Seitenwandschutz von Siliziumnitrid und anisotrope korrosionsfreisetzende empfindliche Strukturen aus Silizium, insbesondere auf ein CMOS-Freigabeverfahren nach einer kreuzstrahlempfindlichen Struktur, die auf ein MEMS-Vektor-Hydrophon ausgerichtet ist.
Hintergrundtechnik:
2. Das Mems-Vektor-Hydrophon kann Vektorinformationen wie die Vibrationsgeschwindigkeit von Unterwasserpartikeln erkennen und kann auf Unterwasser-Erkennungsplattformen wie Sonarsystemen, unbemannten Unterwasser-Tauchbooten und aus der Luft abgeworfenen Sonarbojen angewendet werden, und seine Leistung hat große Aufmerksamkeit erhalten . Das von cmos integrierte Mems-Vektorhydrophon kann die Leistung des Vektorhydrophons erheblich verbessern und hat eine gute Entwicklungsperspektive.
3. Post-CMOS-Integration in das CMOS-Integrationsschema ist derzeit ein heißes Forschungsthema. In diesem Schema ist die Verwendung des Mems-Prozesses zum Abschließen der Strukturfreigabe unter der Prämisse, mit cmos kompatibel zu sein, eine große Herausforderung. Beim traditionellen Mem-Prozess wird Photolithographie verwendet, um das Maskenmuster auf den Siliziumwafer zu übertragen, und die Genauigkeit der Photolithographie beim Mem-Prozess ist oft nicht so gut wie beim CMOS-Prozess, und die Photolithographieschritte reduzieren die Produktionseffizienz und erhöhen die Produktionskosten . Es ist auch ein Problem, das untersucht werden muss, um die Massenproduktion von Chips zu realisieren.
4. Um dieses Problem zu lösen, entwickelt die vorliegende Erfindung basierend auf der empfindlichen Struktur des Mems-Vektor-Hydrophons ein Post-CMOS-Mems-Freigabeverfahren, das keine Lithographie erfordert und mit CMOS kompatibel ist.

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