Die technischen Realisierungselemente des Post-CMOS-Release-Verfahrens für die querbalkensensitive Struktur für MEMS-Vektorhydrophone:

Technische Umsetzungselemente:

5. Um das Problem der Vollendung der Strukturfreigabe unter der Prämisse der Kompatibilität mit CMOS durch Verwendung des MEMS-Prozesses zu lösen, stellt die vorliegende Erfindung ein Post-CMOS-Freigabeverfahren für die Querstrahl-empfindliche Struktur des MEMS-Vektorhydrophons bereit.

6. Die vorliegende Erfindung wird durch die folgenden technischen Lösungen erreicht: ein Verfahren zum Freisetzen von cmos nach einer kreuzstrahlempfindlichen Struktur, die auf ein Mems-Vektorhydrophon ausgerichtet ist, umfassend die folgenden Schritte: Schritt (1) organisches Reinigen des cmos-Chips zum Entfernen von Oberflächenverunreinigungen; Auswählen eines CMOS-Chips, Kristallorientierung "100", p-Typ-Substrat, Siliziumnitrid-Passivierungsschicht im Oberflächen-Mems-Bereich wurde im CMOS-Prozess strukturiert.

7. Schritt (2) Tiefätzen des Siliziumsubstrats unter Verwendung der Siliziumnitrid-Passivierungsschicht als Maske zum Ätzen des freigelegten Siliziums; tiefe Siliziumätzdose

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