Elemente der technischen Implementierung Elemente des Post-CMOS-Release-Verfahrens für Cross-Beam-empfindliche Strukturen für MEMS-Vektorhydrophone
Sep 16, 2022
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Technische Umsetzungselemente:
5. Um das Problem der Vollendung der Strukturfreigabe unter der Prämisse der Kompatibilität mit CMOS durch Verwendung des MEMS-Prozesses zu lösen, stellt die vorliegende Erfindung ein Post-CMOS-Freigabeverfahren für die Querstrahl-empfindliche Struktur des MEMS-Vektorhydrophons bereit.
6. Die vorliegende Erfindung wird durch die folgenden technischen Lösungen erreicht: ein Verfahren zum Freisetzen von cmos nach einer kreuzstrahlempfindlichen Struktur, die auf ein Mems-Vektorhydrophon ausgerichtet ist, umfassend die folgenden Schritte: Schritt (1) organisches Reinigen des cmos-Chips zum Entfernen von Oberflächenverunreinigungen; Auswählen eines CMOS-Chips, Kristallorientierung "100", p-Typ-Substrat, Siliziumnitrid-Passivierungsschicht im Oberflächen-Mems-Bereich wurde im CMOS-Prozess strukturiert.
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